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第476章 层闪存芯片（第1页）
第二天。
常乐和曾熙返回江州，然后马不停蹄转道去了长宁。
抵达长宁，没有惊动地方，直奔长宁存储。
刚下车，看见长宁存储CEO杨永宁、COO高启明，迈着轻快步伐大步跑来。
两人脸上都洋溢着激动、兴奋的神色。
常乐问两位：“介绍一下？”
杨永宁和高启明同时点头。
杨永宁先说：
“老板，基于Xtacking架构的128层QLC3DNAND闪存研发成功……”
“而且，已经通过群联、联芸两家控制器厂的SSD系统验证。”
“我们计划今年年底正式量产，推向市场。”
高启明接着说：
“另外，128层TLC规格的闪存芯片，也同时研发成功，这表明我们领先了全世界。”
QLC与TLC是常见的存储芯片类型。
两者运用于不同的场景。
区别就在于，每一个存储单元能够存储的位数不同。
QLC芯片，每个存储单元可以存储四个比特。
TLC芯片，每个存储单元可以存储三个比特。
所以QLC的存储密度比TLC更高，但是耐久性不行。
一般，QLC应用于小容量场景，如家用的固态硬盘；
而TLC应用于大容量场景，如数据中心的服务器。
常乐、曾熙听完两人的介绍，很高兴。
在EUV面世、国内高端芯片面临无法生继续迭代和生产的关键时刻……
闪存芯片领先全球，是一个振奋人心、提振士气的消息。
曾熙问道：“其他技术大厂的研发进程是什么情况？”
高启明回答：“目前，基本停留在96层技术上，部分厂96层还未进入量产。”
“三星已经大规模量产第五代V-NAND存储芯片，堆叠层数96层。”
“美光最近遭受晋华、联电的反诉，后者认为美光的产品专利侵权。”
“据悉，当前的证据对镁光极为不利，镁光可能采取场外手段反制。”
“他们目前只能量产64层3DTLCNAND芯片，96层芯片还在研发，计划今年年底推出。”
“东芝存储已经改名铠侠，他们也已经成功研发96层3DNANDFLASH芯片，但是也没有量产。”
“其他，如SK海力士、英特尔等大厂，总体进度和三星一致，要实现128层芯片堆叠，还需要1-2年时间。”
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